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Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible for Semiconductor Target Material
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | Baidun |
| Modellnummer: | VM-EG400 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 STK |
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| Preis: | Negotiate |
| Verpackung Informationen: | Holzverpackung exportieren |
| Lieferzeit: | 25-30 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 2000 Stück/Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | Siliziumkarbid und Graphit | Dichte: | 2,21-2,25 g/cm3 |
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| Form: | Zylindrisch | Temperaturbeständigkeit: | Bis zu 1650°C |
| Verfahren: | Vakuumschmelzen | Anwendung: | Kupfer in elektronischer Qualität für Halbleitertargets |
| Reinheit: | 6N (99,9999 %) | Atmosphäre: | Hochvakuum |
| Hervorheben: | electronic grade copper melting crucible,SiC graphite crucible for semiconductors,vacuum melting crucible for target material |
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Produkt-Beschreibung
Vacuum Melting Electronic Grade Copper SiC Graphite Crucible
Ultra-high purity crucible for vacuum melting of 6N (99.9999%) electronic grade copper used in semiconductor sputtering targets. Minimal outgassing and zero contamination design.
Key Features
- Vacuum compatible ultra-low outgassing
- 6N purity retention capability
- Semiconductor grade material quality
- Clean melting for target manufacturing
- Batch traceability documentation
Applications
Semiconductor sputtering target production, electronic grade copper melting, high-purity copper for chip manufacturing, PVD target material preparation.
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